| A tárgy kódja és neve | F836E Félvezető eszközök fizikája |
| Meghirdető tanszék(csoport) | Kísérleti Fizikai Tanszék |
| Felelős oktató | Dr. Nánai László főiskolai tanár |
| Kredit | 2 |
| Heti óraszám | 2 |
| Típusa | előadás |
| Számonkérés | kollokvium |
| Teljesíthetőség feltétele | - |
| Párhuzamos feltétel | - |
| Előfeltétel | - |
| Helyettesítő tárgyak | - |
| Periódus | őszi vagy tavaszi félév |
| Javasolt félév | 5. vagy 6. ld. inf. fizikus szak mintatanterve |
| Kötelező v. kötelezően választható | informatikus fizikus (KV) |
| Megjegyzés |
|
A szilárd testek fizikájának néhány fogalma: sávelmélet, kiterjedt és lokalizált állapotok, egyensúlyi statisztikák. A töltéshordozók transzportja: a) a szabad töltéshordozók mozgása, szórás, Boltzmann-egyenlet, b) töltéstranszport a tiltott sávban. Nem egyensúlyi folyamatok: a) generáció és rekombináció, b) a töltéshordozók diffúziója és driftje, c) a mozgékonyság és a diffúzió kapcsolata, Maxwell-féle relaxációs idő. A félvezető felületek fizikája: a) elektronemisszió a fémfelületről, b) a fém-félvezető kontaktus c) a Schottky-dióda. A p-n átmenet fizikája: a) homoátmenet b) heteroátmenet. Szigetelt vezérlő elektródájú, téreffektus tranzisztor elméletének alapjai: a) felületi tértöltés b) a MIS (ill. a MOS) szerkezet‚ a dinamikus RAM, c) az IG-FET működése. d) a szigetelő rétegek tulajdonságai, e) töltés transzport szigetelőkben: az EPROM f) a töltés továbbító eszközök: CCD. Monopoláris FET szerkezetek: a J-FET és a MES-FET. A bipoláris tranzisztor: a) kvalitatív leírás b) egyszerűsített kvantitatív leírás. Integrált szilárdtest áramkörök: a) típusai b) az előállítás lépései c) a monolitikus erősítők felépítése. |
|